内存新制程三星采用70纳米工艺电脑硬件行业资讯资讯-(XINWEN)
发布时间:2021-10-04 21:20:51
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来源:茶壶厂家
芯片容量、性能的不断上升,要求制造工艺也要不断进步,从而使得有限的体积内能够容纳更多的晶体管。1993年的CPU使用的仅仅是800纳米的工艺制程(例如英特尔的奔腾60MHz,310万晶体管),而目前的最新产品则使用90纳米工艺打造,晶体管数量也超过一亿。内存厂商同样在不断追求更先进的制造工艺。在转向100纳米之后,三星日前宣布,其研发出业界第一的CVD(Chemical Vapor Deposition,化学蒸发沉积)铝制程技术,从而为该公司升级到70纳米工艺奠定了坚实的基础。
在DRAM生产过程中的互联技术环节,三星开发出的上述新技术处于领导地位。过去生产DRAM晶圆中的电路接线,多采用PVD(Physical Vapor Deposition,物理蒸发沉积)技术。但是运用PVD生产90纳米或更小制程的芯片时遇到了困难,出现了所谓的“Void”问题。而晶圆表面出现的一丁点瑕疵,都将导致内部电路出现问题。
CVD铝技术不仅克服了PVD的缺陷,适合用于生产70纳米的芯片,而且还能降低相关生产过程中20%的制造费用。目前,三星电子已经在90纳米/512Mb DRAM颗粒的制造上应用了CVD铝制程技术,并计划在年底将这种新技术运用到70纳米工艺之上。
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